Revolutionäre neue Speicherlösung

publiziert: Sonntag, 20. Mrz 2005 / 09:48 Uhr / aktualisiert: Sonntag, 20. Mrz 2005 / 17:18 Uhr

Forscher des niederländischen Elektronik-Konzerns Philips sind auf dem besten Weg die Speicherwelt zu revolutionieren.

Speichermedien wie Memory-Sticks werden immer kleiner und leistungsfähiger.
Speichermedien wie Memory-Sticks werden immer kleiner und leistungsfähiger.
Es ist ihnen gelungen, einen neuen nicht-flüchtigen Speicher zu entwickeln, der alle Vorzüge bisheriger Speicherlösungen in sich vereint.

Er ist so schnell wie SRAM, besitzt die Speicherdichte von DRAM und die Nicht-Flüchtigkeit von Flash-Memory-Speicher: das Ganze gepaart mit niedriger Spannung und geringer Leistungsaufnahme. Zudem ist der neue Speicher günstig in der Herstellung. Dies berichtet die Netzwelt.de.

Eine alte Idee weitergedacht

Dabei ist die Technologie, die hinter der Speicherneuheit steckt, im Prinzip alles andere als neu: Wie auch bei wiederbeschreibbaren DVDs wird für die Datenspeicherung der Phasenübergang bestimmter Materialien genutzt.

Diese im Normalzustand amorphen Stoffe können durch Energiezufuhr in eine kristalline Struktur umgewandelt werden. Durch erneute, höhere Energiezufuhr kann das Ganze dann auch wieder rückgängig gemacht werden. Die beiden unterschiedlichen Phasen der Stoffe unterscheiden sich dabei so stark in ihrer elektrischen Leitfähigkeit, dass sie vom Computer leicht unterschieden und als 1 oder O ausgelesen werden können.

Neues Material als Lösung

Bei wiederbeschreibbaren DVDs wird die hohe Energie über den Laser zugeführt, bei einem herkömmlichen Speicherelement müsste das aber über die Stromspannung erfolgen. Bei bisherigen Phasenübergangs-Stoffen wäre die dazu benötigte Stromzufuhr allerdings viel zu hoch, um praktikabel zu sein.

Die Forscher von Philips haben dieses Problem jetzt gelöst, indem sie auf ein neues Material setzen: Antimontellurid. Für diesen Stoff wird in der Regel eine Spannung von nur 14 Volt benötigt, um den Phasenübergang einzuleiten. Und die benötigte Spannung sinkt zudem noch je kleiner das Speicherelement wird. So sind bei einem 50 Nanometer großen Chip sogar nur 0,7 Volt notwendig.

Schneller als bisher

Ein weiterer Vorteil des Antimontellurids ist, dass der Phasenübergang ungewöhnlich schnell erfolgt: Gerade einmal 30 Nanosekunden werden gebraucht, um eine Speicherzelle zu programmieren. Das ist 100 bis 200 mal schneller als bei aktuellen Flash-Memory-Speichern.

In der Aprilausgabe des Wissenschaftsmagazins "Nature Materials" wollen die Forscher von Philips Entwicklungsteam den neuen Phasenübergangsspeicher im Detail vorstellen. Von einer Marktreife ist die neue Lösung dennoch wohl aber noch weit entfernt.

(mo/sda)

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